最高70%！三星、海力士2026年DRAM再涨价

据韩国媒体报道，全球两大存储芯片巨头三星电子与 SK 海力士已计划在本季度大幅上调服务器 DRAM 价格，涨幅预计达 60% 至 70%。这一轮显著涨价，核心原因在于人工智能应用的爆发式增长，推动 AI 服务器需求快速攀升，促使主要芯片厂商将产能持续向利润更高的先进存储产品（如 HBM）集中，传统 DRAM 等产品的产能因此被明显挤压，供需失衡不断加剧，最终引发价格快速上行。

自去年以来，全球存储芯片市场的涨价趋势已愈发明显。闪迪、三星电子、美光科技等头部厂商多次上调合约价格。去年 11 月，闪迪曾将 NAND 闪存合约价大幅上调，最高涨幅达 50%；同期，三星电子服务器内存芯片的合约价格上调幅度更是达到 60%，进一步强化了市场的涨价预期。

市场研究机构 TrendForce 最新调查显示，2026 年第一季度，DRAM 供应商仍将把先进制程与新增产能优先分配至服务器与 HBM 产品，以应对持续增长的 AI 服务器需求。这一结构性调整显著压缩了其他应用市场的供给空间，预计将推动传统 DRAM 合约价格环比上涨约 55% 至 60%。与此同时，NAND 闪存厂商在严格控制产能的背景下，叠加强劲的服务器需求对其他应用形成挤出效应，或将带动所有 NAND 闪存产品合约价格整体上涨 33% 至 38%。

值得关注的是，这场始于上游晶圆制造与存储芯片环节的供应链震荡，正迅速向下游市场传导，其中个人电脑行业首当其冲。DRAMeXchange 预计，高达 50% 的 DRAM 涨幅将对 PC 产业链造成显著冲击，影响整机成本与市场供应节奏。

市场同时传出消息称，苹果公司与三星电子、SK 海力士签订的 DRAM 芯片长期供货协议（LTA）将于本月到期。在全球内存供应紧张、价格持续攀升的背景下，苹果管理层被指已为关键续约谈判在韩国预订长期住宿，目标是与核心供应商锁定一份为期三年的新长期合作协议。据悉，苹果目前采购的 12GB LPDDR5X 内存芯片单颗成本已升至约 70 美元，较 2025 年初价格累计上涨高达 230%。

成本的急剧上升同样迫使其他科技巨头采取行动。谷歌、戴尔等公司高管相继前往韩国，与主要存储厂商展开直接沟通，以确保未来 DRAM 供应的稳定性。业内普遍认为，此轮内存紧缺并非短期波动。美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉此前已明确表示，全球内存供给偏紧的局面很可能在 2026 年之后仍将持续，对整个半导体产业和下游应用市场形成长期影响。

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